受託加工、技術開発服務


総合研磨廠商MIPOX提供高性能自社製品及高精密加工技術力、針對各種材質的表面及邊緣、配合客戶的目的及要求形状・面精度、提供受託加工及技術開發服務。


 

特徴

総合研磨廠商MIPOX具有豊富的研磨技術・Know-How、並可充分應用自社研磨產品
小批量試作~量産対応、消耗品・研磨装置・製程・技術提供等、配合客戶的需求綜合対應
有専門的製程技術開発担当者、由開発初期即可対應
具有充實的評価設備、可對應加工前後的品質確認及評估
可對應鈦金屬或碳化矽等難切削材的鏡面加工 
 

受託加工対象品

素材

加工対象

加工内容

対応尺寸

●各種半導体用基板

●Edge

●Beveling

Φ2 inch~

(Si、SiC、GaN、GaAs、Saphire、
 LiTaO3、LiNbO3、SiN、AlN、SiN、
 各種複合材料、etc.)
●太陽電池用基板
●各種金属基板
 (Cu、Al、SUS、Ti、Au、Ag、W、etc..)
●各種玻璃基板
 (石英、Pirex Glass、強化玻璃、
 Soda Glass、etc..)
●各種樹脂基板

(磨邊・Notch・OF平邊)

●正面及背面

●Trimming
●Polish

●Lap
●Polish

300mm

~Φ4 inch
~□300mm

●各種円筒材(Al、SUS、各種合金、橡膠、
 樹脂素材、DLC膜、Cr膜、etc..)

●表面

●Lap
●Polish

直径~150mm、
長度~450mm

●各種Hoop材(Roll to Roll)

●表面

●Lap
●Polish

個別討論

●各種Work的測定・分析・解析

●表面・Edge

●測定

個別討論


























受託加工例

加工前

加工後

加工前

加工後

 

 

 

 

 

Ra=1156.7Å

Ra=4.0Å

Ra=1242.9Å

Ra=3.9Å

 

Alumina基板

AlN基板

加工前

加工後

加工前

加工後

 

 

 

Ra=7.7Å

Ra=3.2Å

Ra=128.5Å

Ra=18.6Å

 

 

単結晶SiC基板

Cu膜表面研磨

加工前

加工後

加工前

加工後

 

 

 

 

Ra=41.4Å

Ra=2.4Å

Ra=106.9Å

Ra=16.7Å

 

 

GaN基板面取加工

玻璃基板面取加工

加工前

加工後

加工前

加工後

       
       

 

 

結晶異常Si Wafer面取加工

SiC Wafer面取加工

加工前

加工後

加工前

加工後